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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
比较
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
46
读取速度,GB/s
15.5
15.9
写入速度,GB/s
11.3
12.8
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2848
2936
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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