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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3182
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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