RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
74
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2542
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link