RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
74
Около -196% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2542
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link