RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
10.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
3420
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link