Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 21.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 73

Около -204% меньшая задержка
Выше скорость записи

19.2 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 21.7
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 4349

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Kingston 9905625-011.A00G 8GB

Kingston 9905625-011.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston 9905624-051.A00G 8GB

Kingston 9905624-051.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

модули RAM