RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
73
Rund um -204% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.2
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
21.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
19.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
4349
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link