RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
74
Около -222% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2339
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link