RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston 9905624-004.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
74
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2512
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link