RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3317
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link