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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3317
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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