Comparaison de la RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Note globale

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 18.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,784.6 15.0

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 65

Autour de -183% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 6400

Autour de 3.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

932 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns