Comparação RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 18.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,784.6 15.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 65

Por volta de -183% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 6400

Por volta de 3.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

932 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns