Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Pontuação geral
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 18.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,784.6 left arrow 15.0
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 65
    Por volta de -183% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 6400
    Por volta de 3.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    65 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,806.8 left arrow 18.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,784.6 left arrow 15.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    932 left arrow 3317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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