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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

総合得点
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,784.6 left arrow 15.0
    テスト平均値
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB 考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 65
    周辺 -183% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,806.8 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,784.6 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    932 left arrow 3317

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