RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston 9905701-022.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
74
Около -147% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2505
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link