RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Kingston 9965640-013.A01G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
74
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
2,201.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
10.1
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2065
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link