RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2097
2880
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link