Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 20.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,201.1 16.9

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 74

Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

74 24
Скорость чтения, Гб/сек

4,178.4 20.6
Скорость записи, Гб/сек

2,201.1 16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

508 3870

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB

Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

модули RAM