RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2601
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link