RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2601
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link