RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2323
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link