RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
61
73
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
61
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2028
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link