RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
61
73
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
61
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2028
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO2GX3M1A1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link