RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
78
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
78
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
1526
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link