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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
78
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
78
读取速度,GB/s
3,510.5
13.4
写入速度,GB/s
1,423.3
6.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1526
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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