RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
23.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
23.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
4124
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link