RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
23.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
23.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
4124
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link