RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
73
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3318
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link