RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3318
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link