RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
73
Около -248% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3264
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link