RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
63
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2543
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link