RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
73
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3072
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link