RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
104
Около -352% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2978
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link