RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3736
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link