RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
73
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2466
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link