RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
73
Около -128% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3357
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link