RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3357
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link