RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
73
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3545
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link