RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
73
Около -192% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
1617
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link