RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
73
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
10.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2124
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link