Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston 9965596-016.B01G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 73

Около -109% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.5 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.1 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 35
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 9.5
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 1853

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-439.A00LF 4GB

Kingston 9905403-439.A00LF 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

модули RAM