Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston KVR533D2N4 512MB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

73 75

Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

5300 4200

Около 1.26% выше полоса пропускания

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

1,672.1 1,423.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

73 75
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 1,943.5
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 1,672.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 4200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 4-4-4-12 / 533 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 301

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

Kingston 99U5624-001.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM