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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
75
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
5300
4200
左右 1.26% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,672.1
1,423.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
73
75
读取速度,GB/s
3,510.5
1,943.5
写入速度,GB/s
1,423.3
1,672.1
内存带宽,mbps
5300
4200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
4-4-4-12 / 533 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
301
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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