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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905678-041.A00G 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.8
16.0
写入速度,GB/s
9.0
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2629
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
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