RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
73
Около -49% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2534
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link