RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
73
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2474
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link