RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2537
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link