RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
73
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
51
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2570
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link