RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
73
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2570
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link