RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
73
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2825
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link