RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3366
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link