RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3366
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link