RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
65
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
1949
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link