RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
73
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
52
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
10.4
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2384
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link