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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
73
左右 -40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
52
读取速度,GB/s
3,510.5
10.4
写入速度,GB/s
1,423.3
7.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2384
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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